• 首页
  • 科研概况
    • 学校概况
    • 部门介绍
    • 机构设置
  • 科研机构
  • 管理文件
  • 申报通知
  • 下载中心
    • 项目手续文档下载
    • 合同标准模板
    • 办理流程
    • 纵向项目验收材料
  • English Version

关于后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划2020年度项目申报的通知

发布者:科研信息网发布时间:2020-05-29浏览次数:117

校内各有关单位:

国家自然科学基金委员会发布了“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划2020年度项目指南,请各单位组织相关人员按项目指南中所述的要求和注意事项进行申请。校内申报时间截止6月26日下午5:00,本次申报为无纸化申报,申报人须符合基金委限项规定。

本重大研究计划面向未来芯片算力问题,聚焦芯片领域发展前沿,拟通过与信息、数理、工程材料、生命等多学科的交叉融合,在超低能耗信息处理新机理、载流子近似弹道输运新机理、具有高迁移率与高态密度的新材料、高密度集成新方法以及非冯计算新架构等方面取得突破,研制出1fJ以下开关能耗的超低功耗器件和超越硅基CMOS载流子输运速度极限的高性能器件,实现算力提升2个数量级以上的非冯∙诺伊曼架构芯片,发展变革型基础器件、集成方法和计算架构,培养一支有国际影响力的研究队伍,提升我国在芯片领域的自主创新能力和国际地位。

附:后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划2020年度项目指南

科技处

2020年5月29日

附件:后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划2020年度项目指南.docx

CopyRight 2011- 西华大学科技处版权所有 最佳分辨率1440X900

西华大学科技处制作 Email:kjc@mail.xhu.edu.cn

地址:中国四川省成都市西郊 西华大学新行政楼320